这张图片展示了在半导体制造过程中，通过多个检测点对晶圆进行图案检查的重要性。这些检测点能够有效监控和控制产量，确保最终产品的质量和性能。

明场和暗场晶圆检测技术是互补的，通常用于满足不同的应用需求。

明场成像（Brightfield imaging）

· 明场检测主要收集反射光，光源与晶圆表面垂直。光从表面反射回来，形成一个“明亮”的图像，真实地显示了晶圆上的图案化特征，类似于镜子清晰准确地反射人的面部。明场检测主要针对高灵敏度应用，但检测速度低。

暗场成像（Darkfield imaging）

· 暗场检测则可以使用正常照明或斜角照明，光以一定角度照射到晶圆表面。暗场主要收集散射光。当一束光遇到芯片纳米级图案中的倾斜或粗糙表面特征时，其轨迹会发生改变。收集这些散射光可以生成3D结构边缘在黑暗背景下的图像。暗场适用于低灵敏度应用——通常针对20nm或更大的缺陷——并提供非常高的检测速度。

传统暗场成像（Traditional darkfield）

· 光源以斜角照射到晶圆表面，通常使用一个遮光罩（如图中的黑色圆锥）来阻挡直接反射光。对极小缺陷的灵敏度极高，但检测速度可能较慢。

Sub-20nm defect detection

· 图片中显示了一个非常小的缺陷，尺寸小于 20 纳米。

微划痕检测（Micro-scratch detection）

· 图片中显示了几个微小的划痕，这些划痕可能是由化学机械抛光（CMP）步骤中的颗粒或不平整表面引起的。

桥接缺陷检测（Bridge defect detection）

· 图片中显示了一个明显的桥接缺陷，表现为两个相邻的金属互连层之间形成了一个短接。

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